GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | GL41YHE3/97 |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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10000+ | $0.116 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1600V (1.6kV) |
Supplier Device-Gehäuse | DO-213AB |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | SUPERECTIFIER® |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Diodentyp | Standard |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 1600V |
Strom - Richt (Io) | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
GL41YHE3/97 Einzelheiten PDF [English] | GL41YHE3/97 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DOT COVERED PALM, X-SMALL
VISHAY LL-41
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() GL41YHE3/97Vishay Semiconductor Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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